曹媛媛阅读次数 [1539] 发布时间 :2014-09-01 15:35:55

半导体核-壳异质结纳米线生长的热力学理论

   半导体核-壳异质结纳米线由于能带结构可调及高的载流子迁移率而成为目前构造半导体纳米线光电器件的基本结构单元。然而表面粗化现象会影响其性能发挥，因此无粗化半导体核-壳异质结纳米线的可控生长就成为实验和理论研究所面临的一个挑战。本项目开展半导体核-壳异质结纳米线生长的热力学理论研究，重点研究“组分掺杂、多壳层构成和温度控制”三方面对核-壳纳米线生长的影响。具体而言，通过研究组分掺杂导致的壳层生长模式变化及表面粗化临界壳层厚度，阐明组分掺杂影响核-壳纳米线生长的物理机制；通过研究多壳层引起的应变弛豫及其导致的壳层表面粗化，阐明多壳层表面粗化的物理本质；通过研究温度调控核-壳纳米线热稳定性及表面粗化形貌，阐明温度影响核-壳纳米线生长及表面粗化的物理规律；本项目研究结果将揭示“组分掺杂、多壳层及温度控制”半导体核-壳纳米线生长的物理机制，为高质量无粗化半导体核-壳异质结纳米线的可控生长提供理论依据。